TOSHIBA

  1. TOSHIBA
Power MOSFETs

Power MOSFETs

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詳細介紹
特性：
1.擊穿電壓範圍:-50V~1500V
2.提供30多種封裝選項
3.具有優異散熱能力
4.改善了柵電荷，降低了功耗
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