TOSHIBA

IGBTS

IGBTS

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詳細介紹
特性:
1.擊穿電壓為350V至1300V
2.切換性能與低通態特性之間達到最佳匹配
3.可全面提高系統設計能效
4.新型簡單、高性能智能模塊系列